Які причини виникнення струмів в напівпровідниках?а) нерівномірна концентрація носіїв заряду в об’ємі напівпровідника;б) існування власних шумів напівпровідника;в) прикладене до напівпровідника електричне поле;г) збільшення температури навколишнього середовища. 2. В якому включенні р-п переходу потенційний бар’єр може дорівнювати 0?а) в прямому;б) в зворотному;в) потенційний бар’єр не може бути рівним 0. 3. Намалювати умовне позначення біполярного транзистора та підписати його виводи. 4. Яка схема включення транзистора має найкращі узгоджувальні властивості?а) СБ;б) СЕ;в) СК.